(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】2021510920
(43)【公表日】20210430
(54)【発明の名称】撮像アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器
(51)【国際特許分類】
   H01L 23/12 20060101AFI20210402BHJP
   H01L 25/04 20140101ALI20210402BHJP
   H01L 25/18 20060101ALI20210402BHJP
   H04N 5/335 20110101ALI20210402BHJP
   H04N 5/225 20060101ALI20210402BHJP
   G02B 7/02 20210101ALI20210402BHJP
   G03B 17/02 20210101ALI20210402BHJP
【FI】
   !H01L23/12 501P
   !H01L25/04 Z
   !H04N5/335
   !H04N5/225 300
   !H04N5/225 700
   !G02B7/02 Z
   !G03B17/02
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
【全頁数】37
(21)【出願番号】2019568336
(86)(22)【出願日】20181210
(85)【翻訳文提出日】20191206
(86)【国際出願番号】CN2018119982
(87)【国際公開番号】WO2020103210
(87)【国際公開日】20200528
(31)【優先権主張番号】201811385643.7
(32)【優先日】20181120
(33)【優先権主張国】CN
(81)【指定国】 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT
(71)【出願人】
【識別番号】519437928
【氏名又は名称】中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司
【氏名又は名称原語表記】NINGBO SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL CORPORATION(SHANGHAI BRANCH)
【住所又は居所】中華人民共和国 201210 上海市中国(上海)自由貿易試験区蔡倫路85弄95号1棟3階シー区309
【住所又は居所原語表記】Room 309, Area C, F3, Building 1,No.95, Lane 85, Cailun Road, China(Shanghai) Pilot Free Trade Zone, Shanghai 201210 China
(74)【代理人】
【識別番号】110002468
【氏名又は名称】特許業務法人後藤特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】陳 達
【住所又は居所】中華人民共和国 315800 浙江省寧波市北侖区小港街道安居路335号3棟、4棟、5棟
(72)【発明者】
【氏名】劉 孟彬
【住所又は居所】中華人民共和国 315800 浙江省寧波市北侖区小港街道安居路335号3棟、4棟、5棟
【テーマコード(参考)】
2H044
2H100
5C024
5C122
【Fターム(参考)】
2H044AJ06
2H100BB06
2H100BB11
5C024CY47
5C024EX22
5C024EX24
5C024EX25
5C024EX42
5C024EX51
5C122DA09
5C122EA54
5C122FB03
5C122FB17
5C122FB20
5C122FC01
5C122FC02
5C122GE05
5C122GE07
5C122GE11
(57)【要約】
撮像アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器を提供する。撮像アセンブリのパッケージング方法は、はんだパッドを有する感光性チップを提供し、感光性チップにフィルタを貼り付け、第1キャリア基板を提供し、第1キャリア基板にはんだパッドを有する機能素子と感光性チップを仮ボンディングし、感光性チップのはんだパッドと機能素子のはんだパッドがいずれも第1キャリア基板に背向し、第1キャリア基板、感光性チップ及び機能素子を覆いながら、フィルタを露出させるパッケージング層を形成し、パッケージング層のフィルタに近接する側に、はんだパッドを電気的に接続する再配線構造を形成し、第1キャリア基板を除去する工程を有する。本発明が感光性チップと機能素子をパッケージング層に集積させるとともに再配線構造により電気的接続を実現して、回路基板を省くことができ、レンズモジュールの全体厚さを減らすとともに、感光性チップと機能素子の間の距離を短縮させる分、電気的に接続する距離も短縮させることができ、レンズモジュールの使用性能を向上させる。
【選択図】図13
【特許請求の範囲】
【請求項1】
撮像アセンブリのパッケージング方法であって、
はんだパッドを有する感光性チップを提供し、
前記感光性チップにフィルタを貼り付け、
第1キャリア基板を提供し、前記第1キャリア基板にはんだパッドを有する機能素子と前記感光性チップを仮ボンディングし、前記感光性チップのはんだパッドと機能素子のはんだパッドがいずれも前記第1キャリア基板に背向し、
前記第1キャリア基板、感光性チップ及び機能素子を覆いながら、前記フィルタを露出させるパッケージング層を形成し、
前記パッケージング層の前記フィルタに近接する側に、前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドとを電気的に接続する再配線構造を形成し、
前記第1キャリア基板を除去する、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項2】
請求項1に記載のパッケージング方法であって、
前記再配線構造を形成する工程は、
前記パッケージング層内に、前記はんだパッドを露出させる導電性ビアホールを形成し、
第2キャリア基板を提供し、前記第2キャリア基板に相互接続配線と導電性ピラーとを有する前記再配線構造を形成し、
前記導電性ピラーを、対応した前記導電性ビアホールにボンディングし、前記はんだパッドに電気的に接続させ、
前記第2キャリア基板を除去することを含む、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項3】
請求項2に記載のパッケージング方法であって、
前記第2キャリア基板に前記再配線構造を形成する工程は、
前記第2キャリア基板に誘電体層を形成し、
前記誘電体層をパターン化し、前記誘電体層内に相互接続トレンチを形成し、
前記相互接続トレンチ内に導電性材料を充填し、前記導電性材料が前記誘電体層の頂部を覆い、
前記導電性材料にパターン化されたマスク層を形成し、パターン化された前記マスク層は、前記導電性ピラーが所在する位置の導電性材料を遮断し、
パターン化された前記マスク層をマスクとし、前記導電性材料を前記誘電体層に至るまでエッチングし、
前記マスク層と誘電体層を除去することを含む、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項4】
請求項3に記載のパッケージング方法であって、
反応性イオンエッチングプロセスにより前記誘電体層を除去する、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項5】
請求項2に記載のパッケージング方法であって、
前記第2キャリア基板に前記再配線構造を形成する工程は、
前記第2キャリア基板に導電層を形成し、
前記導電層をエッチングすることにより、相互接続配線を形成し、
前記第2キャリア基板と相互接続配線を覆う犠牲層を形成し、
前記犠牲層をパターン化することにより、前記導電性ピラーの位置を画定するためのビアホールを形成し、
前記ビアホール内に前記導電性ピラーを形成し、
前記犠牲層を除去することを含む、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項6】
請求項1に記載のパッケージング方法であって、
前記パッケージング層を形成する工程は、
前記仮ボンディング工程と貼り付け工程の後、前記第1キャリア基板を、上型と下型とを有する金型内に置き、
前記第1キャリア基板を前記上型と下型との間に置き、
型締め後、前記金型を前記第1キャリア基板とフィルタの上に押し付け、前記上型と下型の間にキャビティを形成し、
前記キャビティ内に封止材を注入して前記パッケージング層を形成し、
前記金型を取り外すことを含む、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項7】
請求項2に記載のパッケージング方法であって、
前記パッケージング層を形成する工程は、
前記仮ボンディング工程と貼り付け工程の後、前記第1キャリア基板を上型と下型とを有する金型内に置き、前記上型と下型のいずれか一つが突出する複数のボスを有し、
前記第1キャリア基板を前記上型と下型との間に置き、
型締め後、前記金型を前記第1キャリア基板とフィルタの上に押し付け、前記ボスを対応した前記はんだパッドに押し付け、前記上型と下型の間にキャビティを形成し、
前記キャビティ内に封止材を注入して前記パッケージング層を形成し、
前記金型を取り外し、前記パッケージング層内に導電性ビアホールを形成することを含む、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項8】
請求項2に記載のパッケージング方法であって、
前記パッケージング層に導電性ビアホールを形成する工程は、
レーザーエッチングにより前記パッケージング層をエッチングして、前記パッケージング層に前記導電性ビアホールを形成することを含む、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項9】
請求項2に記載のパッケージング方法であって、
メタルボンディングにより、前記導電性ピラーを対応した前記導電性ビアホールにボンディングする、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項10】
請求項9に記載のパッケージング方法であって、
前記メタルボンディングは、そのボンディング温度が250℃以下であり、その圧力が200kPa以上であり、そのボンディング時間が30min以上である、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項11】
請求項1に記載のパッケージング方法であって、
前記パッケージング層を形成する工程では、前記パッケージング層が前記フィルタの側壁を覆う、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項12】
請求項11に記載のパッケージング方法であって、
前記フィルタを前記感光性チップに貼り付ける前に、前記フィルタの側壁を覆う応力緩衝層を形成することをさらに有し、
または、
前記フィルタを前記感光性チップに貼り付けてから、前記感光性チップを前記第1キャリア基板に仮ボンディングする前に、前記フィルタの側壁を覆う応力緩衝層を形成することをさらに有し、
または、
前記感光性チップにフィルタを貼り付け、前記感光性チップを前記第1キャリア基板に仮ボンディングしてから、前記パッケージング層を形成する前に、前記フィルタの側壁を覆う応力緩衝層を形成することをさらに有する、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項13】
請求項11に記載のパッケージング方法であって、
ディスペンシングプロセスにより前記応力緩衝層を形成する、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項14】
請求項1に記載のパッケージング方法であって、
前記感光性チップに前記フィルタを貼り付けてから、前記感光性チップを前記第1キャリア基板に仮ボンディングする、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項15】
請求項1に記載のパッケージング方法であって、
前記再配線構造を前記はんだパッドに電気的に接続させてから、前記第1キャリア基板を除去する、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項16】
請求項1に記載のパッケージング方法であって、
前記再配線構造を前記はんだパッドに電気的に接続させてから、前記再配線構造にFPC基板をボンディングすることをさらに有する、
ことを特徴とするパッケージング方法。
【請求項17】
撮像アセンブリであって、
パッケージング層と、前記パッケージング層に嵌め込まれる感光性ユニット及び機能素子とを備え、
前記感光性ユニットは、感光性チップと前記感光性チップに貼り付けられるフィルタを有し、前記パッケージング層の底面に前記感光性チップと機能素子を露出させ、前記パッケージング層の上面が前記感光性チップと機能素子より高く前記フィルタを露出させて、前記感光性チップと機能素子がいずれもはんだパッドを有し、前記はんだパッドが前記パッケージング層の底面に背向し、
前記パッケージング層の上面の一側に位置する再配線構造は、前記はんだパッドに電気的に接続される、
ことを特徴とする撮像アセンブリ。
【請求項18】
請求項17に記載の撮像アセンブリであって、
前記再配線構造は、
前記パッケージング層に位置し、前記はんだパッドに電気的に接続される導電性ピラーと、
前記パッケージング層の上面に位置し、前記導電性ピラーと接続される相互接続配線とを有する、
ことを特徴とする撮像アセンブリ。
【請求項19】
請求項17に記載の撮像アセンブリであって、
前記パッケージング層が前記フィルタの側壁を覆う、
ことを特徴とする撮像アセンブリ。
【請求項20】
請求項19に記載の撮像アセンブリであって、
前記パッケージング層と前記フィルタの側壁の間に位置する応力緩衝層をさらに有する、
ことを特徴とする撮像アセンブリ。
【請求項21】
請求項17に記載の撮像アセンブリであって、
前記機能素子は、周辺チップ及び受動素子のうちの少なくとも一方を有し、前記周辺チップは、デジタルシグナルプロセッサチップ及びメモリチップのうちの一方または両方を有する、
ことを特徴とする撮像アセンブリ。
【請求項22】
請求項17に記載の撮像アセンブリであって、
前記再配線構造に位置するFPC基板をさらに有する、
ことを特徴とする撮像アセンブリ。
【請求項23】
請求項17から22のいずれか一項に記載の撮像アセンブリと、
前記パッケージング層の上面に貼り付けられ前記感光性チップと機能素子を取り囲むホルダーを有し、前記感光性チップ及び機能素子に電気的に接続されるレンズアセンブリとを有する、
ことを特徴とするレンズモジュール。
【請求項24】
請求項23に記載のレンズモジュールを有する、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態がレンズモジュール分野に関し、特に、撮像アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
人々の生活水準が向上し続け、アマチュアの生活がより豊富になるにつれて、写真は旅行や様々な日常生活を記録するための一般的な手段となり、撮像機能を有する電子機器(例えば、携帯電話、タブレットPC、カメラなど)が人々の日常生活や仕事に多く適用され、撮像機能を備えた電子機器は今日の人々にとって不可欠なツールとなっている。
【0003】
撮像機能を有する電子機器は、一般に、レンズモジュールを有するものであり、レンズモジュールの設計レベルは、撮像品質を決定する重要な要素の一つである。レンズモジュールは、通常、感光性チップを有する撮像アセンブリと、前記撮像アセンブリの上方に固定され被写体の映像を形成するためのレンズアセンブリとを含む。
【0004】
そして、レンズモジュールの結像能力を高めるために、相応的に、より大きな結像面積を有する感光性チップが必要とされており、また、通常、前記レンズモジュールには抵抗、コンデンサなどの受動要素および周辺チップが配置されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の実施形態は、撮像アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器を提供し、レンズモジュールの使用機能を向上させ、レンズモジュールの全体厚さを減少させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、本発明の実施形態によれば、はんだパッドを有する感光性チップを提供し、前記感光性チップにフィルタを貼り付け、第1キャリア基板を提供し、前記第1キャリア基板にはんだパッドを有する機能素子と前記感光性チップを仮ボンディングし、前記感光性チップのはんだパッドと機能素子のはんだパッドがいずれも前記第1キャリア基板に背向し、前記第1キャリア基板、感光性チップ及び機能素子を覆いながら、前記フィルタを露出させるパッケージング層を形成し、前記パッケージング層の前記フィルタに近接する側に、前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドを電気的に接続する再配線構造を形成し、前記第1キャリア基板を除去することを含む撮像アセンブリのパッケージング方法が提供される。
【0007】
相応的に、本発明の実施形態によれば、パッケージング層と、前記パッケージング層に嵌め込まれる感光性ユニットと機能素子を備え、前記感光性ユニットは、感光性チップと前記感光性チップに貼り付けられるフィルタを有し、前記パッケージング層の底面に前記感光性チップと機能素子を露出させ、前記パッケージング層の上面が前記感光性チップと機能素子より高く前記フィルタを露出させて、前記感光性チップと機能素子がいずれもはんだパッドを有し、前記はんだパッドが前記パッケージング層の底面に背向し、前記パッケージング層の上面の一側に位置する再配線構造は、前記はんだパッドに電気的に接続される撮像アセンブリが提供される。
【0008】
相応的に、本発明の実施形態によれば、本発明の実施形態に記載の前記撮像アセンブリと、前記パッケージング層の上面に貼り付けられ且つ前記感光性チップと機能素子を取り囲むホルダーを有し、前記感光性チップ及び機能素子に電気的に接続されるレンズアセンブリとを有するレンズモジュールが提供される。
【0009】
相応的に、本発明の実施形態によれば、本発明の実施形態に記載のレンズモジュールを有する電子機器が提供される。
【0010】
従来技術と比べ、本発明の実施形態の技術方案は下記のメリットがある。
【0011】
本発明の実施形態は感光性チップと機能素子とをパッケージング層に集積し、再配線構造により電気的接続を実現でき、周辺チップを周辺メインボードに貼り付ける方案と比べ、本発明の実施形態は感光性チップと機能素子の間の距離を短縮させたので、感光性チップと機能素子の間の電気的接続する距離の短縮に寄与でき、信号伝送速度を向上させ、レンズモジュールの使用機能(例えば、撮像速度と記憶速度の向上)を向上させるとともに、パッケージング層と再配線構造により、相応的に、回路基板(例えば、PCB)を省略でき、レンズモジュールの全体の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図2】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図3】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図4】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図5】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図6】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図7】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図8】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図9】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図10】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図11】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図12】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図13】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図14】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図15】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図16】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図17】本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【図18】本発明のレンズモジュールの一実施形態の構成模式図である。
【図19】本発明の電子機器の一実施形態の構成模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
現在、レンズモジュールの使用性能の向上が望まれる一方、レンズモジュールがレンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことは困難である。その原因は下記のように挙げられる。
【0014】
従来のレンズモジュールは、主に、回路基板、感光性チップ、機能素子(例えば、周辺チップ)及びレンズアセンブリとにより組み立てられ構成されて、通常、周辺チップが周辺メインボードに貼り付けられ、感光性チップと機能素子とは離れている。また、前記回路基板が前記感光性チップ、機能素子およびレンズモジュールを支持するとともに、前記回路基板により前記感光性チップと機能素子とレンズモジュールとの電気的接続を実現する。
【0015】
しかしながら、高画素および超薄型レンズモジュールへの要求に伴って、レンズモジュールの結像要求がますます高くなり、感光性チップの面積が増大し、機能素子もそれに応じて増加し、レンズモジュールのサイズがますます大きくしまうので、レンズモジュールの小型化および薄型化への要求を満たすことは困難である。
【0016】
また、感光性チップは通常レンズモジュール内のホルダーの内部に配置され、周辺チップは通常ホルダーの外部に配置されるので、前記周辺チップと感光性チップとの間にはある程度の距離があり、それによって信号伝送速度が低下する。前記周辺チップは、通常、デジタルシグナルプロセッサ(digital signal processor,DSP)チップとメモリチップとを含むので、撮像速度および記憶速度に悪影響を及ぼしやすく、それによってレンズモジュールの使用性能を低下させる。
【0017】
上記課題を解決するために、本発明の実施形態は感光性チップと機能素子とをパッケージング層に集積し、再配線構造により電気的接続を実現でき、周辺チップを周辺メインボードに貼り付ける方案と比べ、感光性チップと機能素子の間の距離を短縮させたので、感光性チップと機能素子の間の電気的接続する距離の短縮に寄与でき、信号伝送速度を向上させ、レンズモジュールの使用機能を向上させるとともに、パッケージング層と再配線構造により、相応的に、回路基板を省略でき、レンズモジュールの全体の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。
【0018】
本発明の上記の目的、特徴、および利点をわかりやすくするために、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0019】
図1〜図13は、本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【0020】
図1〜図2を参照すると、図2は図1の感光性チップの拡大図であり、はんだパッドを有する感光性チップ200が提供される。
【0021】
前記感光性チップ200がイメージセンサチップである。この実施形態では、前記感光性チップ200はCMOSイメージセンサ(CMOS image sensor,CIS)チップである。他の実施形態では、前記感光性チップはCCD(charge coupled device,電荷結合素子)イメージセンサチップでもよい。
【0022】
この実施形態では、前記感光性チップ200は光信号受信面201(図2に示す)を有し、前記感光性チップ200は前記光信号受信面201を介して感知光放射信号を受信する。
具体的には、前記感光性チップ200は、感光領域200Cと、前記感光領域200Cを囲む周辺領域200Eとを含み、前記光信号受信面201が前記感光領域200Cに位置している。
【0023】
前記感光性チップ200は複数の画素部を含むので、感光性チップ200は複数の半導体感光素子(図示せず)と、半導体感光素子に位置した複数のフィルタリングフィルム(図示せず)とを含み、フィルタリングフィルムが光信号受信面201で受信された光信号を選択的に吸収し通過させ、前記感光性チップ200はフィルタリングフィルムに位置したマイクロレンズ210をさらに含み、マイクロレンズ210は半導体感光素子と一対一に対応し、受信された光放射信号光は半導体感光素子に集束される。前記光信号受信面201が、相応的にマイクロレンズ210の上面に当たる。
【0024】
説明する必要があるが、前記感光性チップ200は一般的にシリコンベースのチップであり、集積回路製造技術によって製造され、他のチップまたは部品と電気的に接続するためのはんだパッドを有する。本実施形態では、前記感光性チップ200は周辺領域200Eに形成された第1チップはんだパッド220を有する。
【0025】
本実施形態では、前記光信号受信面201と同じ側の感光性チップ200の面が前記第1チップはんだパッド220を露出させる。
【0026】
図1および図2を参照し、また図3を参照すると、図3は図1に示される一つのフィルタの拡大図であり、前記感光性チップ200にフィルタ400が貼り付けられる(図1を参照)。
【0027】
前記感光性チップ200にフィルタ400が貼り付けられたら、感光性ユニット250が形成される(図1を参照)。前記感光性チップ200に前記フィルタ400が貼り付けられたら、後のパッケージングプロセスが前記光信号受信面201への汚染を防ぐとともに、後続のレンズモジュールの全体の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。
【0028】
前記フィルタ400は、赤外フィルタリングガラスまたは完全透明ガラスである。本実施形態では、前記フィルタ400は赤外フィルタリングガラスであり、入射光のうちの赤外線が感光性チップ200の性能に与える影響を排除するためにも用いられており、結像効果の向上に有利である。
【0029】
具体的には、前記フィルタ400は赤外線カットフィルタ(infrared cut filter,IRCF)であり、前記赤外線カットフィルタは青色ガラス赤外線カットフィルタであってもよく、あるいは、ガラス及び前記ガラスの表面上に配置されたIRカットコーティング(IR cut coating)を含んでもよい。
【0030】
本実施形態では、前記フィルタ400は、ボンディング用面401を有する。前記ボンディング用面401が感光性チップ200との貼り付けの面であり、即ち、前記感光性チップ200を向くための面である。
【0031】
具体的には、フィルタ400が青色ガラス赤外線カットフィルタである場合に、青色ガラス赤外線カットフィルタの一表面にARフィルム又は反射防止フィルムがメッキされ、ARフィルム又は反射防止フィルムの表面に背向する面がボンディング用面401である。フィルタ400がガラス及びガラスの表面上に配置されたIRカットコーティングを含む場合に、IRカットコーティングに背向するガラス表面がボンディング用面401である。他の実施形態では、フィルタが完全透明ガラスである場合、完全透明ガラスの任意の表面がボンディング用面である。
【0032】
図3に示すように、前記フィルタ400は、光透過領域400Cと、光透過領域400Cを囲むエッジ領域400Eとを含む。前記光透過領域400Cは外部入射光を透過するように構成され、感光性チップ200の光信号受信面201が光信号を受信してレンズモジュールの通常使用機能を実現するためであり、前記エッジ領域400Eはフィルタ400と感光性チップ200との貼り付けを実現するために搭載空間的位置を確保するためである。
【0033】
図1に示すように、本実施形態では、前記フィルタ400は、接着構造410を介して感光性チップ200に貼り付けられ、前記接着構造410は前記光信号受信面201を囲んでいる。
【0034】
前記接着構造410は、フィルタ400と感光性チップ200との物理的な接続を実現するために使用され、且つ、前記フィルタ400、接着構造410および感光性チップ200よりキャビティ(図示せず)が形成され、フィルタ400と感光性チップ200との直接接触を避けることにより、フィルタ400が感光性チップ200の性能に悪影響を及ぼすことを防止する。
【0035】
本実施形態では、前記接着構造410が前記光信号受信面201を取り囲み、前記光信号受信面201の上方のフィルタ400を感光性チップ200の感光経路に位置させるので、前記感光性チップ200の性能は保証されている。
【0036】
具体的には、前記接着構造410の材料はフォトリソグラフィ可能な材料であり、フォトリソグラフィ加工により接着構造410が形成することができるので、これは接着構造410の形態品質(morphology quality)および寸法精度を改善し、パッケージング効率と生産性を改善するのに役立つだけでなく、接着構造410の接合強度への影響を低減することができる。
【0037】
本実施形態では、前記接着構造410の材料はフォトリソグラフィ可能なドライフィルム(dry film)である。他の実施形態では、前記接着構造の材料はフォトリソグラフィ可能なポリイミド(polyimide)、フォトリソグラフィ可能なポリベンゾオキサゾール(PBO)またはフォトリソグラフィ可能なベンゾシクロブテン(BCB)でもよい。
【0038】
本実施形態では、前記接着構造410を形成する際の加工上の困難さを軽減し、工程を簡略化し、前記接着構造410の形成工程が光信号受信面201に与える影響を低減するために、前記フィルタ400に接着構造410が形成される。
【0039】
具体的には、図1に示すように、前記貼り付け工程は、第3キャリア基板340を提供することと、フィルタ400のボンディング用面401に背向する面を第3キャリア基板340に仮ボンディングすることと、前記仮ボンディング工程の後、前記フィルタ400のエッジ領域400E(図3に示す)に環状の接着構造410を形成することと、前記感光性チップ200の光信号受信面201が前記環状の接着構造410を向くように、前記感光性チップ200の周辺領域200E(図2に示す)を前記環状の接着構造410に貼り付けて前記感光性ユニット250を形成することとを含む。
【0040】
前記第3キャリア基板340は、前記接着工程にプロセスのプラットフォームを提供するために使用され、それによってプロセスの操作性を改善する。この実施形態では、第3キャリア基板340はキャリアウェハ(carrier wafer)である。他の実施形態では、前記第3キャリア基板は他のタイプの基板でもよい。
【0041】
具体的には、第1仮ボンディング層345を介してフィルタ400を第3キャリア基板340に仮ボンディングする。前記第1仮ボンディング層345は後の剥離(de−bonding)を容易にするための剥離層として使用される。
【0042】
本実施形態では、第1仮ボンディング層345は発泡フィルムである。発泡フィルムは、対向した微粘着面および発泡面を含み、発泡フィルムは常温では粘着性を有し且つ発泡面が第3キャリア基板340に貼り付けられ、後で発泡フィルムを加熱して発泡面に粘性を失わせ、それにより剥離が達成される。他の実施形態では、前記第1仮ボンディング層はダイアタッチフィルム(die attach film,DAF)としてもよい。
【0043】
図4を参照して説明すると、貼り付け工程の後、さらに、前記感光性チップ200の光信号受信面201に背向する面をUVフィルム310に貼り付けることと、貼り付け工程の後、第3キャリア基板340を除去する第1の剥離処理を行う(図1に示す)。
【0044】
前記貼り付け工程を経て、引き続き感光性ユニット250を別のキャリア基板に仮ボンディングするために用意され、且つ、前記UVフィルム310は第3キャリア基板340が除去された後も感光性ユニット250を支持および固定するために使用される。また、UVフィルム310は、紫外線の照射下で付着力が弱まり、その後、感光性ユニット250をUVフィルム310から容易に取り外すことができる。
【0045】
具体的には、前記UVフィルム310を、フィルムアプリケータによって前記感光性チップ200の光信号受信面201に背向する面に密着されるとともに、大径のフレーム315の底部に貼り付ける。前記フレーム315によってストレッチフィルムの作用が果たされ、前記感光性ユニット250が別々にUVフィルム310に固定される。前記UVフィルム310およびフレーム315についての詳細説明、本実施形態では省略する。
【0046】
本実施形態では、前記第1仮ボンディング層345(図1に示す)は発泡フィルムであるので、熱剥離プロセスを使用し前記第1剥離処理を行う。具体的には、前記第1仮ボンディング層345を加熱処理して発泡フィルムの発泡表面に粘着性を失わせ、第3キャリア基板340を除去した後、前記第1仮ボンディング層345を外して除去する。
【0047】
図5を参照し、第1キャリア基板320を提供し、前記第1キャリア基板320にはんだパッドを有する機能素子(図示せず)と前記感光性チップ200を仮ボンディングし、且つ、前記感光性チップ200と機能素子のはんだパッドがいずれも前記第1キャリア基板320に背向する。
【0048】
機能素子および感光性チップ200を第1キャリア基板320に仮ボンディングすることによって、後の機能素子および感光性チップ200のパッケージ集積と電気学集積のためにプロセス上に用意される。
【0049】
さらに、仮ボンディング(temporary bonding,TB)によって、後で感光性チップ200、機能素子および第1キャリア基板320を別々に分離させることも便利になる。そのうち、前記第1キャリア基板320はさらに、後続のパッケージング層を形成するためにプロセスプラットフォームとして提供される。
【0050】
この実施形態では、前記第1キャリア基板320はキャリアウェハである。他の実施形態では、前記第1のキャリア基板は他のタイプの基板でもよい。
【0051】
具体的には、第2仮ボンディング層325を介して機能素子と感光性チップ200を第1キャリア基板320に仮ボンディングする。本実施形態では、前記第2仮ボンディング層325は発泡フィルムである。前記第2仮ボンディング層325についての詳細説明は、前記第1仮ボンディング層345(図1に示す)についての説明を参照できるので、ここで省略する。
【0052】
本実施形態では、感光性チップ200が第1キャリア基板320に仮ボンディングされた後、前記感光性チップ200の第1チップはんだパッド220は前記第1キャリア基板320に背向する。
【0053】
具体的には、個個の感光性ユニット250(図1に示すような)の位置にあるUVフィルム310(図4に示すように)を紫外線照射し、紫外線照射を受けたUVフィルム310に粘着性を失わせるようにする。イジェクタピンにより一つの感光性ユニット250をジャックアップし、続いて吸着装置により前記感光性ユニット250を引き上げ、逐次に前記感光性ユニット250をUVフィルム310から剥離させ前記第1キャリア基板320上に放置する。また、逐次に前記感光性ユニット250を前記第1キャリア基板320上に放置する方式は、感光性ユニット250の第1キャリア基板320における位置精度の向上に有利であり、後続プロセスの通常に実施されることにも有利である。
【0054】
本実施形態では、前記感光性チップ200およびフィルタ400の貼り付けが達成された後、前記感光性チップ200が第1キャリア基板320に仮ボンディングされる。他の実施形態では、感光性チップが第1キャリア基板に仮ボンディングされた後に、前記感光性チップおよびフィルタの貼り付けは実施されてもよい。
【0055】
この実施形態は、1つの感光性ユニット250のみを示している。他の実施形態では、形成されたレンズモジュールがデュアルカメラまたはアレイモジュール製品に適用されるとき、前記感光性ユニットの数は複数でもよい。
【0056】
前記機能素子は、撮像アセンブリにおける感光性チップ200以外の特定の機能を有する部品であり、前記機能素子は周辺チップ230および受動素子240の少なくとも一方を含む。
【0057】
この実施形態では、前記機能素子は、周辺チップ230および受動素子240を含む。
【0058】
前記周辺チップ230は能動部品であり、後に感光性チップ200との電気的接続が実行されたら、前記感光性チップ200に、アナログ電源回路およびデジタル電源回路、電圧バッファ回路、シャッタ回路、シャッタ駆動回路などのような周辺回路を提供するために使用される。
【0059】
この実施形態では、前記周辺チップ230は、デジタルシグナルプロセッサチップおよびメモリチップの一方または両方を含む。他の実施形態では、周辺チップは他の機能タイプのチップも含み得る。図5には1つの周辺チップ230しか示されていないが、周辺チップ230の数は1つに限定されない。
【0060】
前記周辺チップ230は一般的にシリコンベースのチップであり、集積回路製造技術によって製造され、他のチップまたは部品と電気的に接続するためのはんだパッドを有する。この実施形態では、前記周辺チップ230は第2チップはんだパッド235を含む。
【0061】
この実施形態では、前記第1チップはんだパッド220が第1キャリア基板320に背向し、後続の電気接続プロセスの困難さを減らすために、前記周辺チップ230が第1キャリア基板320に仮ボンディングされた後、前記第2チップはんだパッド235も第1キャリア基板320に背向し、前記第1チップはんだパッド220と第2チップはんだパッド235とも同じ側に位置させるようにする。
【0062】
前記受動素子240は、前記感光性チップ200の感光動作において特定の役割を果たすために使用される。前記受動素子240は、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、ポテンショメータ、リレー、またはドライバなどの小型の電子部品を含むことができる。図示の便宜上、図5には1つの受動素子240しか示されていないが、受動素子240の数は1つに限定されない。
【0063】
前記受動素子240も他のチップまたは部品と電気的に接続するためのはんだパッドを有する。この実施形態では、前記受動素子240のはんだパッドは電極245である。
【0064】
前記分析でわかるように、第1チップはんだパッド220が第1キャリア基板320に背向する場合に、後続の電気接続プロセスの困難さを減らすために、前記受動素子240が第1キャリア基板320に仮ボンディングされた後、前記電極245も第1キャリア基板320に背向する。
【0065】
後続の電気的接続のプロセス難易度を下げるために、前記機能素子と感光性チップ200の厚さは同じか、その厚さの差が小さい。また、前記感光性チップ200の厚さにより、厚さの適合した機能素子を形成してもよい。本実施形態では、前記機能素子と感光性チップ200との厚さの差はー2μmから2μmである。
【0066】
それに応じ、前記周辺チップ230と感光性チップ200との厚さの差はー2μmから2μmで、前記受動素子240と感光性チップ200との厚さの差はー2μmから2μmである。
【0067】
図6を参照すると、前記第1キャリア基板320、感光性チップ200、および機能素子(図示せず)を覆い、かつ前記フィルタ400を露出させるように形成されるパッケージング層350が形成される。
【0068】
前記パッケージング層350は、感光性チップ200と機能素子(例えば、周辺チップ230、受動素子240)に対して固定的な役割を果たし、感光性チップ200と機能素子との集積パッケージを実現する。
【0069】
そのうち、パッケージング層350は、レンズアセンブリ内のホルダーによって占められる空間を減らすことができ、また回路基板(例えばPCB)を節約することができ、それによって後に形成されるレンズモジュールの全体厚さを著しく減らすことができ、レンズモジュールの小型化と薄型化への要求を満たすことができる。また、機能素子を周辺メインボードに貼り付ける技術方案と比較して、パッケージング層350に感光性チップと機能素子とを集積化することにより、感光性チップ200と各機能素子との距離を短くすることができ、それに応じ、感光性チップと各機能素子との間の電気的接続距離を短くし、それによって信号伝送速度を上げ、レンズモジュールの使用性能を向上させる(例えば、撮像速度および記憶速度を向上させる)ことに有益である。
【0070】
本実施形態では、前記パッケージング層350は、絶縁、密封および防湿としても機能することができ、レンズモジュールの信頼性を向上させるためにも有益である。
【0071】
この実施形態では、前記パッケージング層350の材料はエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、低収縮性、優れた接着性、優れた耐食性、優れた電気的性質および低コストという利点を有しているので、電子デバイスおよび集積回路用の封止材として広く使用されている。
【0072】
本実施形態では、前記パッケージング層350は射出成形(injection molding)プロセスを使用して形成される。射出成形プロセスを採用することにより、生産量を増加させ、プロセスコストを削減することに有益である。また、適合した金型を作成することにより、前記パッケージング層350の厚さと形成区域がプロセスの要求を満たすことができるので、前記パッケージング層350が前記フィルタ400を覆うことを避けられ、プロセスが簡単になる。
【0073】
具体的には、前記パッケージング層350を形成する工程は、機能素子(図示せず)と感光性チップ200とを第1キャリア基板320上に仮ボンディングし、感光性チップ200とフィルタ400とを貼り付けてから、第1キャリア基板320を金型内に配置し、前記金型は上型と下型とを含み、前記第1キャリア基板320を上型と下型との間に配置し、型締め後、前記金型を前記第1キャリア基板320とフィルタ400の上に押し付け、前記上型と下型の間にキャビティを形成し、前記キャビティ内に封止材を注入して前記パッケージング層を形成し、前記金型を除去する。
【0074】
他の実施形態では、前記パッケージング層は他の成形プロセスを使用し形成してもよい。例えば、フィルタを覆うパッケージング層を形成した後、パッケージング層をエッチング処理または研削(grinding)処理して、前記フィルタよりも高いパッケージング層を除去することにより、前記フィルタ残ったパッケージング層から露出するようにする。
【0075】
この実施形態では、前記パッケージング層350はフィルタ400の側壁も覆うので、感光性ユニット250(図1に示す)内のキャビティのシール性を改善し、前記キャビティ内への水蒸気、酸化性ガスなどの侵入の確率を引き下げ、それによって前記感光性チップ200の性能が保証される。
【0076】
電気回路を省略することにより、レンズモジュールの厚さを減らす効果が実現できることに留意されたい。感光性チップ200および周辺チップ230を薄くする必要がなく、感光性チップ200および周辺チップ230の機械的強度および信頼性が向上した分、レンズモジュールの信頼性も向上する。他の実施形態では、前記感光性チップおよび周辺チップの厚さは、プロセス要件に従って適切に薄くすることができるが、機械的強度および信頼性が影響を受けない程度に薄くする量が少ない。
【0077】
図5を参照すると、この実施形態では、前記パッケージング層350(図6に示す)が形成される前に、さらに、前記フィルタ400の側壁を覆う応力緩衝層420を形成することをさらに含む。
【0078】
前記応力緩衝層420は、パッケージング層350によって発生されたフィルタ400への応力を低減して、フィルタ400が破損する確率を低減し、それによってパッケージングプロセスの信頼性および歩留まりを改善し、それに対応してレンズモジュールの信頼性を改善するのにも有益である。特に、前記フィルタ400は赤外線フィルタガラスシートまたは完全透明なガラスシートであり、ガラスシートは応力によるひびや割れが生じやすいが、前記応力緩衝層420により、前記フィルタ400が破損する確率を著しく引き下げることができる。
【0079】
前記応力緩衝層420は、フィルタ400への接着性を確実にするための粘着性を有する。この実施形態では、前記応力緩衝層420の材料はエポキシ系接着剤である。エポキシ系接着剤はエポキシ樹脂系接着剤(epoxy resin adhesive)であり、エポキシ系接着剤は多種多様で、組成を変えることで弾性率の異なる材料を得ることができ、実際の状況に応じて、前記フィルタ400の受けた応力を調整・制御できる。
【0080】
この実施形態では、前記感光性ユニット250(図1に示す)が前記第1キャリア基板320に仮ボンディングされてから前記応力緩衝層420が形成されるので、前記第1キャリア基板320が前記応力緩衝層420を形成するためにプロセスプラットフォームとして提供される。
【0081】
他の実施形態では、前記フィルタが感光性チップに貼り付けられる前に前記応力緩衝層を形成してもよいが、あるいは、前記フィルタを前記感光性チップに貼り付けてから、前記感光性ユニットを前記第1キャリア基板に仮ボンディングする前に、前記応力緩衝層を形成してもよい。
【0082】
具体的には、前記応力緩衝層420はディスペンシングプロセスによって形成される。ディスペンシングプロセスを応用することによって、前記応力緩衝層420を形成する工程と現在のパッケージングプロセスとの適合性が改善され、プロセスは簡単になる。
【0083】
この実施形態では、前記応力緩衝層420は接着構造410の側壁も覆い、後でパッケージング層350によって発生された接着構造410への応力を低減して、パッケージングプロセスの信頼性および歩留まりをさらに向上させる。
【0084】
引き続き図7から図11を参照すると、前記パッケージング層350の前記フィルタ400に近い側に再配線(redistribution layer,RDL)構造360(図11に示す)が形成され、前記感光性チップ200のはんだパッドと前記機能素子(図示せず)のはんだパッドとを電気的に接続する。
【0085】
前記再配線構造360は、形成された撮像アセンブリの電気的集積を実施するために使用される。
【0086】
本実施形態では、前記パッケージング層350および再配線構造360により、感光性チップ200と機能素子との間の距離を短くし、それに応じて、電気的接続の距離を短くし、それによって信号伝送速度を改善し、レンズモジュールの使用性能を改善する。具体的には、前記周辺チップ230は、デジタルシグナルプロセッサチップおよびメモリチップの一方または両方を含み、それに応じて、撮像速度と記憶速度を向上させることに有利である。
【0087】
また、再配線構造360を応用することにより、前記感光性チップ200と機能素子との距離を縮めながら電気的接続工程の実行可能性を向上させることができ、ワイヤボンディング工程と比較して、再配線構造360は量産化でき、パッケージング効率を改善できる。
【0088】
具体的には、再配線構造360を形成する工程は以下を含む。
【0089】
図7を参照し、前記パッケージング層350内に、前記はんだパッド(図示せず)を露出させる導電性ビアホール351を形成する。
【0090】
具体的には、前記導電性ビアホール351は、それぞれ前記第1チップはんだパッド220、第2チップはんだパッド235、および電極245を露出させ、後続の電気的接続プロセスのために準備される。
【0091】
本実施形態では、前記パッケージング層350を形成してから、レーザーエッチングプロセスにより前記パッケージング層350をエッチングし、前記パッケージング層350に前記導電性ビアホール351を形成する。レーザーエッチングプロセスは精度が高く、前記導電性ビアホール351の形成位置と寸法が正しく確定できる。
【0092】
本実施形態では、前記機能素子と感光性チップ200との厚さの差はー2μmから2μmであり、各導電性ビアホール351の深さが同じか類似していて、それに応じ、レーザーエッチングプロセスの難易度を下げる。
【0093】
他の実施形態では、パッケージング層を形成する工程で導電性ビアホールを形成してもよい。具体的には、射出成形プロセスで使用される金型をカスタマイズすることによって、上型および下型のうちのいずれか一方が複数の凸状ボスを有し、型締め後に、金型を第1のキャリア基板およびフィルタ上に押し付ける。ボスを対応するはんだパッドに押し付け、前記上型と下型との間にキャビティを形成し、前記ボスにより導電性ビアホールの位置が占められ、それに対応して、金型を除去したらパッケージング層に前記導電性ビアホールを形成することができる。
【0094】
図8と図9を参照し、第2キャリア基板330を提供し、前記第2キャリア基板330に相互接続配線361(図9に示す)と前記相互接続配線361から突出した導電性ピラー362(図9に示す)を有する再配線構造360(図9に示す)を形成する。
【0095】
前記第2キャリア基板330に前記再配線構造360を形成することにより、前記再配線構造360を形成するプロセスによる前記フィルタ400への汚染を回避できる。
【0096】
具体的には、前記再配線構造360を形成する工程は下記のとおりとなる。即ち、前記第2キャリア基板330に誘電体層332を形成し、前記誘電体層332をパターン化し、前記誘電体層332内に相互接続トレンチ(図示せず)を形成し、前記相互接続トレンチ内に導電性材料365(図8に示す)を充填し、前記導電性材料365が前記誘電体層332の上部も覆い、前記導電性材料365にパターン化されたマスク層366(図8に示す)を形成し、パターン化された前記マスク層366が前記導電性ピラー362所在場所での導電性材料365を遮断し、パターン化された前記マスク層366をマスクとし、前記導電性材料365から前記誘電体層332までエッチングして、前記相互接続トレンチに位置した相互接続配線361及び前記相互接続配線361から突出した導電性ピラー362を形成し、前記マスク層366と誘電体層332を除去する。
【0097】
前記相互接続トレンチは、相互接続配線361の形状、位置、およびサイズを画定するために使用される。この実施形態では、前記誘電体層332の材料は感光性材料であり、フォトリソグラフィプロセスによってパターン化でき、相互接続トレンチを形成するプロセスの難易度を簡単化する。この実施形態では、前記誘電体層332の材料は感光性ポリイミドである。他の実施形態では、前記誘電体層332の材料は、感光性ベンゾシクロブテンまたは感光性ポリベンゾオキサゾールでもよい。
【0098】
本実施形態では、前記導電性材料365は銅であり、即ち、前記再配線構造360の材料は銅である。銅材料を選択することにより、前記再配線構造360の電気的接続の信頼性を向上させることに有利であり、また、銅の抵抗率が低いので、前記再配線構造360の導電性を向上させることにも有利である。なお、銅の充填性がよいので、それに応じて、導電性材料365の相互接続トレンチ内の充填効果も向上させる。他の実施形態では、前記再配線構造は、その他の適用可能な導電性材料でもよい。
【0099】
前記マスク層366が前記導電性材料365をエッチングするためのエッチングマスクである。この実施形態では、前記マスク層366はフォトレジストであるため、再配線構造360を形成した後に、該マスク層366をアッシングまたはウェットストリッピングによって除去することができる。他の実施形態では、前記マスク層は、エッチングプロセスに適合する他の材料でもよく、マスク層は単層構造または積層構造でもよい。
【0100】
前記材料の誘電体層332は耐食性が高いため、前記再配線構造360を形成した後に、反応性イオンエッチングにより前記誘電体層332を除去することにより、第2キャリア基板330から相互接続配線361を露出させ、後続の電気接続プロセスに用意される。
【0101】
本実施形態では、前記第2キャリア基板330に誘電体層332を形成する前に、さらに、前記第2キャリア基板330に第3仮ボンディング層331を形成し、それに応じ、前記誘電体層332が前記第3仮ボンディング層331に形成されることを含む。
【0102】
前記第3仮ボンディング層331は後で前記再配線構造360と第2キャリア基板330との剥離を便利にさせるための剥離層として使用される。本実施形態では、前記第3仮ボンディング層331は発泡フィルムでよく、前記第3仮ボンディング層331についての詳細説明は、第1仮ボンディング層345(図1に示す)についての説明を参照できるので、ここで省略する。
【0103】
他の実施形態では、前記第2キャリア基板に第3仮ボンディング層331を形成する前に、さらに、前記第2キャリア基板にパッシベーション層を形成することを含む。前記パッシベーション層により、前記第2キャリア基板が汚染されることが避けられ、前記第2キャリア基板が再利用可能である。また、前記パッシベーション層の材料は、酸化シリコンまたは窒化シリコンとすることができる。
【0104】
図10と図11を参照し、前記導電性ピラー362が対応した前記導電性ビアホール351(図10に示す)にボンディングされ、対応した前記はんだパッドと電気的に接続する。
【0105】
前記導電性ビアホール351がそれぞれ第1チップはんだパッド220、第2チップはんだパッド235及び電極245を露出させ、前記導電性ピラー362が導電性ビアホール351にボンディングされてから、それぞれ前記第1チップはんだパッド220、第2チップはんだパッド235及び電極245に電気的に接続する。
【0106】
具体的には、前記再配線構造360を前記フィルタ400を向かせ、メタルボンディングプロセスにより、前記導電性ピラー362を対応した前記導電性ビアホール351にボンディングする。
【0107】
本実施形態では、前記メタルボンディングプロセスはホットプレスボンディングプロセスである。前記メタルボンディングプロセスの過程では、前記導電性ピラー362と対応する第1チップはんだパッド220、第2チップはんだパッド235と電極245との接触面は圧力の作用下で塑性変形するので、接触面の原子は互いに接触し、ボンディング温度が上昇するにつれて、接触面の原子拡散が加速され、クロスボーダー拡散(Cross−border spread)が実現される。一定のボンディング時間に達すると、接触面のラティスが再結合してボンディングが達成され、ボンディング強度、導電性および熱伝導性、エレクトロマイグレーション耐性、ならびに機械的接続性能が高い。
【0108】
説明する必要があるが、ボンディング温度が上昇すると、接触表面上の原子はより多くのエネルギーを得て、原子間の拡散はより顕著になり、さらにボンディング温度の上昇は粒子成長を促進でき、エネルギーを得た粒子はクロスボーダー成長することができ、ボーダー面の解消に寄与でき、接触面の材料を一体化させる。しかし、前記メタルボンディングプロセスのボンディング温度はあまり高くないほうが好ましい。ボンディング温度が高すぎると、前記感光性チップ200および周辺チップ230の性能、特に形成された撮像アセンブリ内の敏感な構成要素に、悪影響を及ぼしやすい一方、プロセス温度が高すぎると、熱応力が生じる可能性があり、アライメント精度の低下、プロセスコストの増加、生産効率の低下などの問題が引き起こされる。このために、本実施形態では、前記メタルボンディングプロセスは低温メタルボンディングプロセスであり、前記メタルボンディングプロセスのボンディング温度は250℃以下である。また、ボンディング温度の最低値が上記ボンディングが実現できればよい。
【0109】
前記ボンディング温度設定の下、圧力を増加させることによって、原子間の相互拡散をより容易にし、その結果、前記再配線構造360とはんだパッドとのボンディング品質が向上される。このために、本実施形態では、前記メタルボンディングプロセスの圧力は200kPa以上である。その中で、前記圧力は圧着工具によって発生する。
【0110】
ボンディング時間の増加もボンディング品質の向上にもつながる。このために、本実施形態では、前記メタルボンディングプロセスのボンディング時間は30min以上である。
【0111】
実際のプロセスでは、前記ボンディング温度、圧力およびボンディング時間を合理的に調整し、組み合わせることにより、メタルボンディングの品質および効率を保証することである。また、接触面を減らし、酸化または汚染が生じる確率を下げるように、真空環境下で前記メタルボンディングプロセスを行ってもよいことに留意されたい。
【0112】
そのために、前記パッケージング方法は、さらに、前記導電性ピラー362が対応した前記導電性ビアホール351(図9に示す)にボンディングされてから、第2剥離処理を行い、前記第2キャリア基板330(図10に示す)と第3仮ボンディング層331(図10に示す)を除去する。
【0113】
前記第2キャリア基板330と第3仮ボンディング層331を除去することによって、前記相互接続配線361が露出され、後続の電気的接続プロセスのために準備される。前記第2剥離処理についての詳細説明は、前記第1剥離処理についての説明を参照できるので、ここで省略する。
【0114】
図12を参照すると、第3の剥離処理を行い、前記第1キャリア基板320を除去する(図11に示す)。
【0115】
前記第1キャリア基板320が前記パッケージング層350の形成のためにプロセスプラットフォームとして提供されたので、前記パッケージング層350が形成された後、前記第1キャリア基板320を除去すればよい。
【0116】
本実施形態では、前記はんだパッドに電気的に接続する再配線構造360を形成してから、前記第1キャリア基板320を除去し、前記第1キャリア基板320が前記電気的接続工程のためにプロセスプラットフォームとして提供され、プロセスの操作可能性とプロセスの安定性を向上させる。他の実施形態では、パッケージング層を形成してから、前記メタルボンディングプロセスが実施される前に、第1キャリア基板を除去する。
【0117】
この実施形態では、熱剥離プロセスにより前記第3剥離処理を行い、第1キャリア基板320および第2仮ボンディング層325を順次除去する(図10に示す)。前記第3剥離処理についての詳細説明は、前記第1剥離処理についての説明を参照できるので、ここで省略する。
【0118】
図13を参照すると、前記第1キャリア基板320(図10に示す)が除去された後、さらに、前記パッケージング層350に対してダイシング(dicing)処理を実施することを含む。
【0119】
前記ダイシング処理により、プロセス要件を満たすサイズの単一の撮像アセンブリ260が形成されて、後続のレンズアセンブリの組み立てのためのプロセスに用意される。本実施形態では、ダイシング処理はレーザー切断工程を用いて行われる。
【0120】
本実施形態では、前記第1キャリア基板320の破損確率を下げるために、先に第3の剥離処理を行い、後で前記ダイシング処理を行う。他の実施形態では、第3の剥離処理がダイシングプロセスの後に実施されてもよい。
【0121】
続いて、図13を参照すると、前記はんだパッドに電気的に接続する再配線構造360が形成された後、さらに、前記再配線構造360にFPC基板(flexible printed circuit board、フレキシブルプリント回路基板)510をボンディングすることを含むことに留意されたい。
【0122】
前記FPC基板510は、回路基板が省略される場合に前記撮像アセンブリ260と後続のレンズアセンブリとの電気的接続、および形成されたレンズモジュールと他の構成要素との間の電気的接続を実現するように構成される。後にレンズモジュールが形成されてから、レンズモジュールはまた、前記FPC基板510を介して電子機器内の他の構成要素に電気的に接続することができ、それによって電子機器の通常の撮像機能を実現する。
【0123】
この実施形態では、前記FPC基板は回路構造を有し、メタルボンディングプロセスによって前記FPC基板510を前記再配線構造360にボンディングし、それによって電気的接続が達成される。
【0124】
本実施形態では、プロセスの実現可能性を向上させるために、前記第3剥離工程およびダイシング工程の後に、前記FPC基板510を前記再配線構造360にボンディングする。
【0125】
なお、前記FPC基板510には、前記FPC基板510と他の回路部品とを電気的に接続するためのコネクタ(connector)520が形成されている。レンズモジュールが電子機器に適用されると、前記コネクタ520が前記電子機器のメインボードに電気的に接続され、それによって前記レンズモジュールと前記電子機器内の他の構成要素との間の情報伝達が実現される。前記レンズモジュールの画像情報が前記電子機器に送信される。具体的には、前記コネクタ520は金指コネクタ(Goldfinger connector)とすることができる。
【0126】
図14〜図17は、本発明の撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成模式図である。
【0127】
本実施形態と前記実施形態との同じ点につき、ここでは省略する。本実施形態と前述実施形態との相違点は、前記相互接続構造360a(図15に示す)の相互接続配線361aと導電性ピラー362aが異なる工程で形成される点にある。
【0128】
具体的には、図14と図15を参照し、前記第2キャリア基板330aに導電層363a(図14に示す)が形成され、前記導電層363aをエッチングし相互接続配線361a(図15に示す)を形成する。
【0129】
この実施形態では、前記相互接続配線361aの材料はアルミである。他の実施形態では、前記相互接続配線の材料は、エッチングプロセスによって容易にパターン化した導電材料とすることもできる。
【0130】
本実施形態では、前記導電層にパターン化したマスク層(例えば、パターン化したフォトレジスト層)が形成されてから、ドライエッチングプロセスにより、前記マスク層から露出した導電層をエッチングし、前記相互接続配線361aを形成する。
【0131】
引き続き図15を参照し、前記第2キャリア基板330aと相互接続配線361aを覆う犠牲層370aを形成し、前記犠牲層370aをパターン化することにより、後続の導電性ピラーの位置を画定するためのビアホール375aを形成する。
【0132】
この実施形態では、前記犠牲層370aの材料は感光性材料であり、フォトリソグラフィプロセスによってパターン化でき、前記ビアホール375aを形成するプロセスの難易度を簡単化する。
【0133】
この実施形態では、前記犠牲層370aの材料は感光性ポリイミドである。他の実施形態では、誘電体層の材料は、感光性ベンゾシクロブテンまたは感光性ポリベンゾオキサゾールでもよい。
【0134】
図16を参照し、前記ビアホール375a(図15に示す)内に前記導電性ピラー362aを形成する。
【0135】
本実施形態では、電気メッキプロセスにより前記ビアホール375aに導電性材料を充填することにより前記導電性ピラー362aを形成し、前記導電性ピラー362aと相互接続配線361aとにより前記再配線構造360aが構成される。
【0136】
また、前記導電性ピラー362aの材料は相互接続配線361aの材料とは同じでもよいし、同じでなくてもよい。本実施形態では、前記導電性ピラー362aの導電性能及び導電性材料のビアホール375aへの充填性能をあげるように、前記導電性ピラー362aの材料は銅である。
【0137】
図17を参照し、前記犠牲層370a(図16に示す)を除去する。
【0138】
前記材料の犠牲層370aは耐食性が高いため、前記再配線構造360を形成した後に、反応性イオンエッチングにより前記犠牲層370aを除去する。
【0139】
本実施形態のパッケージング方法の詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。
【0140】
それに対応して、本発明の実施形態はさらに一種の撮像アセンブリを提供する。引き続き図13を参照すると、本発明の撮像アセンブリの一実施形態の構成模式図が示されている。
【0141】
前記撮像アセンブリ260は、下記のような構成を有し、即ち、パッケージング層350、及び前記パッケージング層350に嵌め込まれる感光性ユニット250(図1に示す)と機能素子(図示せず)を備え、前記感光性ユニット250が感光性チップ200と前記感光性チップ200に貼り付けられるフィルタ400を有し、前記パッケージング層350の底面(図示せず)が前記感光性チップ200と機能素子を露出させ、前記パッケージング層350の上面(図示せず)が前記感光性チップ200と機能素子より高く前記フィルタ400を露出させて、前記感光性チップ200と機能素子がいずれもはんだパッドを有し、前記はんだパッドがいずれも前記パッケージング層350の底面に背向し、前記パッケージング層350の上面の一側に位置する再配線構造360が、前記はんだパッドに電気的に接続する。
【0142】
前記パッケージング層350は、感光性チップ200と機能素子に対して固定的な役割を果たし、感光性チップ200と機能素子との集積パッケージを実現する。そのうち、パッケージング層350は、レンズアセンブリ内のホルダーによって占められる空間を減らし、また回路基板を節約することができ、それによってレンズモジュールの厚さを著しく減らすことができ、レンズモジュールの小型化と薄型化への要求を満たすことができる。
【0143】
この実施形態では、前記パッケージング層350の材料は封止材であり、前記パッケージング層350は、絶縁、密封および防湿としても機能することができ、レンズモジュールの信頼性を向上させるためにも有益である。
【0144】
この実施形態では、前記パッケージング層350の材料はエポキシ樹脂である。
【0145】
この実施形態では、前記パッケージング層350は対向する上面および底面を含む。また、前記パッケージング層350の上面はレンズアセンブリを貼り付けるための面である。
【0146】
この実施形態では、撮像アセンブリ260のパッケージング過程において、通常、感光性チップ200および機能素子がキャリア基板に仮ボンディングされた後、前記キャリア基板上に前記パッケージング層350が形成される。よって、前記パッケージング層350の底面は、前記感光性チップ200および機能素子を露出させる。
【0147】
この実施形態では、前記パッケージング層350の上面が感光性チップ200と機能素子よりも高く、前記パッケージング層350はフィルタ400の側壁も覆うので、感光性ユニット250内のキャビティのシール性を改善し、キャビティ内への水蒸気、酸化性ガスなどの侵入の確率を引き下げ、それによって感光性チップ200の性能が保証される。
【0148】
この実施形態では、前記感光性チップ200はCMOSイメージセンサチップである。他の実施形態では、前記感光性チップはCCDイメージセンサチップでもよい。
【0149】
図1に示されるように、本実施形態では、前記感光性チップ200は、感光領域200Cと、前記感光領域200Cを囲む周辺領域200Eとを含み、前記感光性チップ200がさらに前記感光領域200Cに位置した光信号受信面201を有する。
【0150】
前記感光性チップ200は一般的にシリコンベースのチップであり、前記感光性チップ200のはんだパッドは前記感光性チップ200と他のチップまたは部品との電気的接続に使用される。本実施形態では、前記感光性チップ200は周辺領域200Eに位置した第1チップはんだパッド220を有する。
【0151】
本実施形態では、前記第1チップはんだパッド220はフィルタ400を向いて、即ち、前記第1チップはんだパッド220は前記パッケージング層350の底面に背向する。
【0152】
前記感光性チップ200に前記フィルタ400が貼り付けられて、パッケージングプロセスによる前記光信号受信面201への汚染を防ぐとともに、レンズモジュール600の全体の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。
【0153】
レンズモジュールの通常機能を実現するために、前記フィルタ400は、赤外フィルタリングガラスまたは完全透明ガラスである。本実施形態では、前記フィルタ400は赤外フィルタリングガラスであり、入射光のうちの赤外線が前記感光性チップ200の性能に与える影響を排除するためにも用いられており、結像効果の向上に有利である。
【0154】
前記フィルタ400は、接着構造410を介して前記感光性チップ200に貼り付けられ、前記接着構造410は前記感光性チップ200の光信号受信面201を囲んでいる。前記接着構造410は、フィルタ400と感光性チップ200との物理的な接続を実現するために使用され、フィルタ400と感光性チップ200との直接接触を避ける。本実施形態では、前記接着構造410が前記光信号受信面201を取り囲む。
【0155】
本実施形態では、前記接着構造410の材料はドライフィルムである。他の実施形態では、前記接着構造の材料はポリイミド(polyimide)、ポリベンゾオキサゾール(PBO)またはベンゾシクロブテン(BCB)でもよい。
【0156】
この実施形態は、1つの感光性ユニット250のみを示している。他の実施形態では、レンズモジュールがデュアルカメラまたはアレイモジュール製品に適用されるとき、感光性ユニットの数は複数でもよい。
【0157】
パッケージング層350がフィルタ400の側壁を覆っているので、前記撮像アセンブリ260は、パッケージング層350とフィルタ400の側壁との間にある応力緩衝層420をさらに含むことに留意されたい。
【0158】
前記応力緩衝層420は、パッケージング層350によって発生されたフィルタ400への応力を低減して、前記フィルタ400が破損する確率を引き下げ、それによってレンズモジュールの信頼性を改善するのに有益である。この実施形態では、前記応力緩衝層420の材料は感光性緩衝接着剤である。
【0159】
前記応力緩衝層420は、フィルタ400への接着性を確実にするための粘着性を有する。具体的には、前記応力緩衝層420の材料はエポキシ系接着剤である。
【0160】
この実施形態では、前記応力緩衝層420は前記パッケージング層350と前記接着構造410の側壁の間に位置し、前記パッケージング層350によって発生された前記接着構造410への応力を低減して、前記撮像アセンブリ260の信頼性および歩留まりをさらに向上させることに有利である。
【0161】
前記機能素子は、撮像アセンブリにおける前記感光性チップ200以外の特定の機能を有する部品であり、前記機能素子は周辺チップ230および受動素子240の少なくとも一方を含む。
【0162】
この実施形態では、前記機能素子は、周辺チップ230および受動素子240を含む。
【0163】
前記周辺チップ230は能動部品であり、感光性チップ200に、アナログ電源回路およびデジタル電源回路、電圧バッファ回路、シャッタ回路、シャッタ駆動回路などのような周辺回路を提供するために使用される。
【0164】
この実施形態では、前記周辺チップ230は、デジタルシグナルプロセッサチップおよびメモリチップの一方または両方を含む。他の実施形態では、前記周辺チップは他の機能タイプのチップも含み得る。図示の便宜上、図13には1つの周辺チップ230しか示されていないが、周辺チップ230の数は1つに限定されない。
【0165】
前記周辺チップ230は一般的にシリコンベースのチップであり、前記周辺チップ230のはんだパッドは前記周辺チップ230と他のチップまたは部品と電気的に接続するために使用される。この実施形態では、前記周辺チップ230は第2チップはんだパッド235を含む。
【0166】
本実施形態では、前記第2チップはんだパッド235が前記フィルタ400を向き、前記第2チップはんだパッド235と第1チップはんだパッド220とを同じ側に位置させることにより、前記周辺チップ230と感光性チップ200との電気的接続を容易にさせる。それに応じ、前記第2チップはんだパッド235は前記パッケージング層350の底面に背向する。
【0167】
前記受動素子240は、前記感光性チップ200の感光動作において特定の役割を果たすために使用される。前記受動素子240は、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、ポテンショメータ、リレー、またはドライバなどの小型の電子部品を含むことができる。図示の便宜上、図13には1つの受動素子240しか示されていないが、受動素子240の数は1つに限定されない。
【0168】
前記受動素子240のはんだパッドは、前記受動素子240が他のチップまたは部品と電気的に接続するために使用される。この実施形態では、前記受動素子240のはんだパッドは電極245である。
【0169】
前記分析を踏まえ、前記第1チップはんだパッド220がフィルタ400を向く場合に、前記電極245がフィルタ400を向くので、前記受動素子240と感光性チップ200との間の電気的接続が容易に実現される。それに応じ、前記電極245も前記パッケージング層350の底面に背向する。
【0170】
感光性チップ200と機能素子のはんだパッドはいずれもパッケージング層350の底面に背向するので、電気的接続のプロセス難易度を下げるために、前記機能素子と感光性チップ200の厚さは同じか、その厚さの差が小さい。また、前記感光性チップ200の厚さにより、前記機能素子の厚さを調整してもよい。本実施形態では、前記機能素子と感光性チップ200との厚さの差はー2μmから2μmである。
【0171】
なお、電気回路基板が除去される分、撮像アセンブリ260の厚さが薄くなり、前記撮像アセンブリ260のパッケージング過程では、前記感光性チップ200および周辺チップ230を薄くする必要がなくなり、従来のレンズモジュールの感光性チップと周辺チップと比べ、本実施形態では、前記感光性チップ200と周辺チップ230の厚さが大きく、感光性チップ200および周辺チップ230の機械的強度および信頼性が向上し、レンズモジュールの信頼性が向上する。他の実施形態では、プロセスの要求に応じ、前記感光性チップおよび周辺チップはリジュース処理を経てもよいが、機械的強度および信頼性が影響を受けない程度にリジュース量が少ない。
【0172】
前記再配線構造360は、撮像アセンブリ260の電気的集積を実施するために使用される。前記再配線構造360およびパッケージング層350により、レンズモジュールの使用性能が向上される(例えば、撮像速度および記憶速度が向上される)。さらに、再配線構造360により、電気接続プロセスの実行可能性およびパッケージ効率が改善される。
【0173】
この実施形態では、前記再配線構造360は、前記第1チップはんだパッド220、第2チップはんだパッド235、および電極245を電気的に接続する。
【0174】
前記パッケージング層350が第1チップはんだパッド220、第2チップはんだパッド235及び電極245を覆うので、前記再配線構造360が、前記パッケージング層350に位置して前記第1チップはんだパッド220と第2チップはんだパッド235と電極245にそれぞれ電気的に接続する導電性ピラー362と、前記パッケージング層350の上面に位置して前記導電性ピラー362と接続する相互接続配線361とを有する。
【0175】
本実施形態では、前記導電性ピラー362と相互接続配線361の材料は銅であり、即ち、前記再配線構造360の材料は銅である。他の実施形態では、前記再配線構造は、その他の適用可能な導電性材料でもよい。
【0176】
本実施形態では、前記導電性ピラー362と相互接続配線361が一体的構造であるので、前記再配線構造360を形成するプロセスを簡単化する。
【0177】
他の実施形態では、前記導電性ピラーと相互接続配線が一体的構造でなくてもよく、それに応じ、前記導電性ピラーと相互接続配線の材料は同じでも同じでなくてもよい。
【0178】
この実施形態では、前記撮像アセンブリ260は、前記再配線構造360上に配置されたFPC基板510をさらに含む。前記FPC基板510は、回路基板が省略される場合に前記撮像アセンブリ260とレンズアセンブリとの電気的接続、およびレンズモジュールと他の構成要素との間の電気的接続を実現するように構成される。レンズモジュールはまた、前記FPC基板510を介して電子機器内の他の構成要素に電気的に接続することができ、それによって電子機器の通常の撮像機能を実現する。
【0179】
具体的には、前記FPC基板510は再配線構造360との電気的接続を実現するための回路構造を有する。
【0180】
なお、FPC基板510にはコネクタ520が設けられていることに留意されたい。レンズモジュールが電子機器に適用されると、前記コネクタ520が前記電子機器のメインボードに電気的に接続され、それによってレンズモジュールと電子機器内の他の構成要素との間の情報伝達が実現される。前記レンズモジュールの画像情報が前記電子機器に送信される。具体的には、前記コネクタ520は金指コネクタ(Goldfinger connector)とすることができる。
【0181】
本実施形態の前記撮像アセンブリは、上記実施形態に記載のパッケージ方法を用いて形成されてもよく、他のパッケージ方法により形成されてもよい。本実施形態の撮像アセンブリの詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。
【0182】
それに対応して、本発明の実施形態はさらに一種のレンズモジュールを提供する。図18を参照すると、本発明のレンズモジュールの一実施形態の構成模式図が示される。
【0183】
前記レンズモジュール600は、本発明の実施形態に記載の撮像アセンブリ(図18で点線に囲まれる)と、前記パッケージング層(図示せず)の上面に貼り付けられ且つ前記感光性ユニット(図示せず)と機能素子を取り囲むホルダー535を有し、前記感光性チップ及び機能素子に電気的に接続するレンズアセンブリと530とを、有する。
【0184】
レンズアセンブリ530は一般に、ホルダー535と、前記ホルダー535に取り付けられたモータ(図示せず)と、前記モーターに取り付けられたレンズ群(図示せず)とを有し、前記ホルダー535により前記レンズアセンブリ530の取り付けを容易に実現できるとともに、レンズ群が感光性ユニットの感光経路上に位置するようにする。
【0185】
この実施形態では、前記撮像アセンブリの厚さが薄いことに加え、前記パッケージング層によって前記レンズアセンブリ530の厚さも減少し、それによって前記レンズモジュール600の全体の厚さが減少することとなる。
【0186】
また、前記感光性ユニットと機能素子とがいずれも前記ホルダー535の内部に配置されるのは、機能素子(例えば、周辺チップ)を周辺メインボードに貼り付ける方式に比べて、本実施形態では前記機能素子と感光性チップとの間の距離が短縮され、それに応じて、レンズモジュール600のサイズも小さくされ、電気的接続の距離も短縮されるので、レンズモジュール600の信号伝送速度を著しく向上させ、それによってレンズモジュール600の使用性能を向上させる(例えば:撮像速度と記憶速度を向上させる)。
【0187】
さらに、前記感光性ユニットおよび機能素子をパッケージング層に集積させるとともに、前記感光性ユニット、機能素子及び再配線構造を前記ホルダー35の内部に配置することによって、前記感光性ユニット、周辺チップ、受動素子及び再配線構造がすべて保護されるようになる。レンズモジュール600の信頼性および安定性が向上し、前記レンズモジュール600の結像品質も保証できる。
【0188】
本実施形態では、前記再配線構造にFPC基板がボンディングされるので、一部のホルダー535が前記パッケージング層に貼り付けられ、一部のホルダー535が前記FPC基板に貼り付けられ、前記レンズアセンブリ530のモーターがそれに応じ、前記FPC基板を介し前記感光性チップ及び機能素子との電気的接続が実現され、レンズアセンブリと撮像アセンブリとの電気的接続が実現される。
【0189】
本実施形態の撮像アセンブリの詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。
【0190】
それに対応して、本発明の実施形態はさらに一種の電子機器を提供する。図19を参照すると、本発明の電子機器の一実施形態の構成模式図が示される。
【0191】
本実施形態では、前記電子機器700が本発明の実施形態に記載の前記レンズモジュール600を含む。
【0192】
前記レンズモジュール600の信頼性と性能が高いことに応じ、前記電子機器700の撮像品質、撮像速度及び記憶速度が向上される。さらに、前記レンズモジュール600の全体厚さは薄いので、ユーザの使い心地をよくさせることに有利である。具体的には、前記電子機器700は、携帯電話、タブレットPC、カメラ又はビデオカメラなどの撮像機能を有する各種装置でもよい。
【0193】
以上、本発明を開示したが、本発明はこれらに限定されるものではない。当業者であれば、本発明の主旨および範囲から逸脱することない限り、あらゆる変更および修正を加えることができ、本発明に保護される範囲は、特許請求の範囲によって規定される範囲によって確定される。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【国際調査報告】